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[置顶] NDEB Online Self-Assessment 2015 Complete 100%

2016-2-15 9:26:45 阅读29 评论0 152016/02 Feb15


NDEB Online Self-Assessment 2015 Complete 100%



NDEB On<wbr>line Self-Assessment 2015 Complete 100 - godsonx - NDEB Exam Busters

 

作者  | 2016-2-15 9:26:45 | 阅读(29) |评论(0) | 阅读全文>>

[置顶] 窝洞分类 - G.V.Black Cavity classification 分类

2010-3-13 18:15:18 阅读3220 评论0 132010/03 Mar13

G.V.Black分类

龋洞分类 - G.V.Black Cavity classification 分类 - godsonx - godsonx的博客

 

 

 考题:

哪些洞型可以出现在任何牙上?

 

答案:   Class I, Class V & Class VI   一类, 五类和六类洞

 

 

Cavity classification standardized methods of recording the need for restoration exist to facilitate communication among clinicians, researchers, and dental educators. The most commonly accepted means of classifying cavities is by the names of the surfaces involved. Cavity type is classified further based on the type of treatment and anatomical area involved. This classification, developed by Dr. G. V. Black in 1908, is designated by Roman numerals as Class I, Class II, Class III, Class IV, Class V, and Class VI (this is the only category that has been added to his original classification system). Note: It is important to remember that the classification relates to location and not size of the cavity.

#  Class I cavities -> involve the pits and fissures, while all other classifications involve smooth surfaces
of the teeth.
      #  Class II cavities -> involve the proximal surfaces and occlusal surfaces of premolars and molars.
      #  Class III cavities -> involve the proximal surfaces of incisors and canines that do not involve the
incisal angle.
      #  Class IV cavities -> are located on the proximal surface of incisors and canines and do involve
the incisal angle.
      #  Class V cavities -> are on the facial or lingual surface of ail teeth and do not involve a pit or fissure.
      #  Class VI cavities -> are on the incisal edges of anterior teeth or on the occlusal cusp heights of
posterior teeth.

** Remember: The best method for definitive detection of incipient carious lesions on the interproximal surfaces of posterior teeth (distal surface of canines through molars) is by bite-wing radiographs. 

 

 

 

I 类洞:为发生于所有牙齿的发育窝、沟内的龋损所制备的洞形。包括磨牙[牙合]面窝沟洞,磨牙颊(舌)面的颊(舌)沟洞,前磨牙的[牙合]面窝沟洞,上前牙的腭面窝洞。

II 类洞:为发生于后牙邻面的龋损所制备的洞形。包括前磨牙的邻面洞、邻[牙合]面洞和邻颊(舌)面洞,磨牙的邻[牙合]面洞和邻颊(舌)面洞及邻面洞。

III类洞:为发生于前牙邻面未损及切角的龋损所制备的洞形。包括切牙、尖牙的邻面洞、邻腭(舌)面洞、邻唇面洞。

IV类洞:为发生于前牙邻面并损及切角的龋损所制备的洞形。包括切牙、尖牙的邻唇腭(舌)面洞,目前含义延伸及牙外伤引起切角缺损的洞。

V类洞:为发生与所有牙齿的颊(唇)、舌(腭)面近龈1/3牙面的龋损所制备的洞形。包括前牙、前磨牙、磨牙在颊或舌面的近龈1/3洞。

 

窝洞定义、结构、各部名称、代表符号

(1)窝洞定义:牙齿龋洞去净龋坏组织,经手术制备的具有特定形状的洞。要求填入充填材料后,充填材料及牙齿均能承担正常咀嚼

压力,不折断、不脱落。

(2)窝洞结构:窝洞由洞壁、洞角及洞缘角构成。


    1)洞壁:组成窝洞的内面统称为壁。按其所在牙面部位命名如近中壁、远中壁、颊壁、舌壁、龈壁、髓壁、轴壁等。

    2)洞角:两个洞壁相交构成的角称为线角(Line angles),三个洞壁相交形成的角称为点角(Point angles)。线角及点角的命名

均以构成他们的各洞壁名称联合命名,如颊轴线角、轴髓线角、颊龈轴点角、舌龈轴点角等。

    3)洞缘角(Cavosurface Margin):洞侧壁与牙齿表面的相交线称为洞缘角,也称为洞面角。


(3)窝洞的名称及符号

    1)窝洞的名称:可根据窝洞所在的牙面命名,如牙合面洞、近中洞、近中牙合面洞等;也可以窝洞所包括牙面数命名,如单面

洞、复面洞等。

    2)窝洞的符号:以所在牙面英文名称的第一个字母或前两个字母作为符号,具体如下:

    切端为I(incisive S.)颊侧为B(buccal S.)

    舌侧为L(lingual S.)牙合面为O(occlusal S.)

    唇侧为La(labial S.)近中面为M(medial S.),远中面为D(distal S.)等。


=======================================================================================

Tooth Preparation Walls
---------------------------
Internal Wall. An internal wall is a prepared (cut) surface that does not extend to the external tooth
surface (Fig. 6-10).

Axial Wall. An axial wall is an internal wall parallel
with the long axis of the tooth (see Fig. 6-10).

Pulpal Wall. A pulpal wall is an internal wall that
is perpendicular to the long axis of the tooth and
occlusal of the pulp (see Figs. 6-10 and 6-13 [p]).

External Wall. An external wall is a prepared (cut)
surface that extends to the external tooth surface. Such
a wall takes the name of the tooth surface (or aspect)
that the wall is toward (see Fig. 6-10).

Floor (or Seat). A floor (or seat) is a prepared (cut) wall that is reasonably flat and perpendicular to the
occlusal forces that are directed occlusogingivally (generally parallel to the long axis of the tooth).
Examples are the pulpal and gingival walls (see Fig. 6-10).
Such floors may be purposefully prepared to provide
stabilizing seats for the restoration, distributing the
stresses in the tooth structure, rather than concentrating
them. This preparation increases the resistance form (see
later) of the restored tooth against postrestorative fracture.
More regarding this type of resistance form is
presented in a later section.

Enamel Wall. The enamel wall is that portion of
a prepared external wall consisting of enamel (see
Fig. 6-2D).

Dentinal Wall. The dentinal wall is that portion of
a prepared external wall consisting of dentin, in which
mechanical retention features may be located (see
Fig. 6-2D).


龋洞分类 - G.V.Black Cavity classification 分类 - godsonx - NDEB Board Busters
 
龋洞分类 - G.V.Black Cavity classification 分类 - godsonx - NDEB Board Busters
 
龋洞分类 - G.V.Black Cavity classification 分类 - godsonx - NDEB Board Busters



==================================================================================================



洞形设计
--------------

外形设计

窝洞外形的范围应包括所有病变组织和可疑的点隙裂沟,外形应作预防性扩展,邻面侧壁应扩展到接触点以外的自洁区,龈壁应置于平齐眼乳突边缘健康的牙休组织上。窝洞外形线应为圆缓曲线,以减少应力集中。



抗力形设计
-----------
抗力形是使充填体和余留牙能够承受咬合力而不会破裂的特定形状。Ⅰ、Ⅱ类洞对抗力形要求较高,V类洞要求可稍低。
1、洞形深度:窝洞底必须建立在牙本质上,后牙洞深应达釉牙本质界下0.2---0.5mm,前牙应达釉牙本质界的牙本质面。
2、盒状洞形:窝洞应制备成盒状,即除特殊情况外,要洞底平,侧壁平直与洞底相垂直,各侧壁之间相互平行。洞底各点线角应明确而圆钝,使应力不集中,要力均匀分布。
3、梯阶形成:复面洞的洞底应形成梯阶以均匀分担咬合力,其中龈壁与髓壁平行,轴壁与近、远中侧壁平行,各壁交接呈直角,点、线角圆钝。注意龈壁一定要与轴壁垂直,切勿形成向龈方的斜面。
4、无基釉、脆弱牙体处理:窝洞釉质壁应与釉柱排列方向平行,洞口不能留有无基釉;对脆弱的牙尖牙嵴,应适当降低高度,减轻要力负担。



固位形设计
-----------
固位形是使充填体能保留于洞内,承受更力后不移位、不脱落的特定形状。当充填材料与牙体组织无粘结力时,充填体的固位主要靠密合的摩擦力和一定的机械样合力。
1、侧壁固位:相互平行且具有一定深度的侧壁,可使充填体通过和洞壁的密合摩擦而达固位目的。
2、倒凹固位:单面洞可以在牙尖下制备倒凹增强固位,制备倒凹时要防止伤及髓角,因此洞底深度超过釉牙本质界0.5mm以上,应先垫底再制倒凹,较深的洞可以不制倒凹,使用粘结性强的修复材料时也可不制倒凹。
3、 鸠尾固位:鸠尾固位用于复面洞的固位,它借助鸠尾峡部的锁扣作用,防止充填体水平方向的脱出。鸠尾峡必须有一定的深度和宽度,宽度在后牙一般为颊舌牙尖间距的1/3。位置应在洞底轴髓线角的靠中线侧。鸠尾的宽度必须大于鸠尾峡。
4、 梯形固位:也是复面洞采用的固位形,邻雯面洞的邻面设计为龈方大于雯方的梯形,防止充填体呈垂直方向脱出。梯形的外形应作预防性扩展,梯形深度应达釉牙本质界下0.2一0.5mm。




便利形设计
-------------
在维护外形的基础上,在需要的地方略加修整,便于器械和充填物能够达到窝洞的任何部位。要达此目的,可选用适当器械,对洞形作适当延伸;当洞外形位于不健康牙龈处时,可用分离器或木楔分离牙龈,必要时切除部分牙龈。





-----------------------------------------------------

预备步骤

窝洞预备的基本步骤
1、开扩洞口或寻人口:病变部位较隐蔽的龋洞,应首先开扩洞口或寻人口,使龋洞充分暴露或为手术操作形成通路,便于观察和进行操作。可用裂钻或球钻去除洞缘的无基釉质,依病变范围开扩,或用裂钻从龋洞一侧作沟,以形成手术通路。
2、去除腐质:病变范围较大时,应先去除腐质。可先用挖匙除去洞内食物残渣和大部分腐质,然后用球钻将洞缘周围腐质除尽,最后除尽洞底腐质。洞底近髓腔处的少量软化牙本质的去留,应视实际情况而定。
3、设计并制备洞形:窝洞的洞缘线构成窝洞外形。虽然各类窝洞都有基本的外形要求,但洞形的制备还应兼顾病变破坏的范围。腐质除尽后,应依病变范围设计窝洞外形。窝洞应包括所有的病变部位,其颊(唇)、舌壁应达自洁区。窝洞的形态应符合固位形和抗力形的基本原则。制备过程中不可过多磨除健康的牙体组织。
4、修整洞形、清洗窝洞:完成洞形制备后,应去除洞内牙本质碎屑,仔细检查窝洞各部是否腐质已除尽,抗力形、固位形是否符合要求。不符合要求时应进一步去除腐质、修改洞形至达到要求。最后修整洞缘釉质,使与釉柱排列方向一致,并彻底清洗窝洞,除去所有碎屑。
5、窝洞消毒:窝洞预备后洞内牙本质小管中不可避免地会有少量细菌残留,理想的消毒药物,既可杀灭小管中的细菌,又不致损伤牙髓,对窝洞的消毒无疑有益。但目前所用的消毒药物尚不能达到上述要求。因此,除尽腐质远比消毒窝洞重要。除尽腐质即可除去绝大部分细菌,即使有少量细菌残留,由于充填修复后的环境不利细菌生长,经一定时间后也会逐渐丧失活动能力或死亡。
I类洞的制备
I类洞多为单面洞,但当龋损波及颊、舌侧面时,应制成复面洞。单面洞应底平、壁直,窝洞深度达釉牙本质界处。较深的龋损不必要求窝洞底平整,在去尽腐质后可借助垫底形成平底。复面洞时,颊面或舌面窝洞的龈壁应与牙长轴垂直,其近远中和颊舌宽度均不小于1.5mm。近、远中壁相互平行并垂直于龈壁,轴壁与龈壁垂直。要面鸠尾固位形的洞形要求同单面洞。鸠尾峡的宽度不小于1.5mm,用高速气涡轮牙钻(裂钻)沿颊沟或舌沟向更面中央窝沟或远中窝沟扩展形成鸠尾形。洞底髓壁与轴壁垂直,形成梯阶。
Ⅱ类洞的制备
Ⅱ类洞依病变破坏范围可制备单面洞或复面洞。当病变已累及接触区时,应制备复面洞;若病变未累及接触区,为避免过多磨除健康的牙齿组织,可从邻面制备单面洞;如果从邻面操作极为困难,也可制成复面洞,从更面进行操作。Ⅱ类洞多数情况下需制备成复面洞。
邻面部分制备:用裂钻从舌面边缘蜻处开扩洞口,钻轴与更面垂直,洞口的大小与邻面破坏范围一致。将邻面洞制备成盒状洞形,龈壁与轴壁垂直,宽度不超过2mm。颊舌壁位于自洁区并在要方略靠拢,使龈方颊舌壁间距略大于雯方。
Ⅲ类洞的制备
视病变范围的大小和邻面的存在与否可备成单面洞或复面洞。
1、单面洞的制备:病变范围较小,龋洞的颊、舌壁有一定厚度且同时伴有龋损侧邻牙缺失,可制备单面洞。
1.1 用倒锥钻从邻面去除龋损腐质。
1.2 按单面洞制备方法将窝洞制备成与患牙邻面外形相一致的三角形,洞底与牙面形态一致呈凸形,深度达釉牙本质界即可。
1.3 可在唇轴舌点角处制作倒凹,倒凹位于釉牙本质界下约0.5毫米处的牙本质中。
2、复面洞的制备:若前牙邻面龋损破坏范围大,或龋损侧邻牙存在,无备洞操作空间,须制备复面洞。
2.1 视龋损破坏范围及方向确定从舌侧或唇侧扩大洞口,如唇侧未遭破坏则尽量从舌侧人口。
2.2 用裂钻从舌面边缘峰处开扩洞口,洞口的切龈向宽度应与邻面破坏范围一致。邻面洞形与单面洞相同。
2.3 用裂钻从邻面约lmm深处向舌侧窝扩展形成鸠尾形,裂钻的长轴应与舌面垂直。舌面窝洞的洞形与I类洞相同。鸠尾一般不过中线,其切龈宽度约为2.5mm。切牙的鸠尾应不损伤切嵴、对侧的边缘嵴和舌隆突;由于切牙的唇舌径较小,制作鸠尾固位形时,不可加深窝洞,以免降低牙齿的抗力和意外穿髓。舌面洞底(髓壁)与邻面洞底(轴壁)互相垂直并形成梯阶。
IV类洞的制备
因受银汞合金充填材料性能所限,目前一般不用银汞合金修复IV类洞而改用复合树脂类修复材料。
V类洞的制备
1、用小号倒锥钻从唇、颊侧备洞,钻针应垂直于牙面,深度约达釉牙本质界处的牙本质中。
2、洞外形呈肾形,洞底呈凸面,与牙面平行。
3、龈壁与洞底垂直,可在轴龈线角或轴妥线角处作倒凹以增进固位。

作者  | 2010-3-13 18:15:18 | 阅读(3220) |评论(0) | 阅读全文>>

500 OOPS: vsftpd: refusing to run with writable root inside chroot()

2016-4-29 15:43:13 阅读1 评论0 292016/04 Apr29

500 OOPS: vsftpd: refusing to run with writable root inside chroot()

Your vsftpd is too old (2. x.x.x.x ), please upgrade to to 3.0.x.x.x.


作者  | 2016-4-29 15:43:13 | 阅读(1) |评论(0) | 阅读全文>>

VSFTPD 的安装

2016-4-29 15:27:49 阅读0 评论2 292016/04 Apr29



一、FTP的安装
1、检测是否安装了FTP:[root@yourvps ~]# rpm -q vsftpd      [回车]

  如果安装了会显示版本信息:
  [root@yourvps ~]# vsftpd-3.0.2-3.fc15.i686

 否则显示:[root@yourvps ~]# package vsftpd is not installed

2、如果没安装FTP,运行yum -y install vsftpd 命令
  具体的细节如下:
 
  [root@yourvps ~]# yum -y install vsftpd      [回车]

3、完成ftp安装后,将 /etc/vsftpd/user_list 文件和 /etc/vsftpd/ftpusers 文件中的root这一行注释掉
  "#root"

4、执行以下命令改变 SELINUX 的 allow_ftpd_anon_write 布尔值 
  # setsebool -P allow_ftpd_anon_write 1

5、重启ftp进程   #systemctl restart vsftpd.service

注:每次修改过ftp相关的配置文件 /etc/vsftpd/vsftpd.conf ,都要重启ftp进程来生效。
 
*********************************************************************


二、vsftpd的配置文件说明:
   
    vsftpd服务器的配置文件的是: /etc/vsftpd/vsftpd.conf
 
    vsftpd服务器的根目录,即FTP服务器的主目录: 默认在/var/ftp/pub ,如果你想修改服务器目录的路径改这里。

  ftpusers:位于 /etc/vsftpd 目录下。它指定了哪些用户账户不能访问FTP服务器,例如root等。
  user_list:位于 /etc/vsftpd 目录下。该文件里的用户账户在默认情况下也不能访问FTP服务器,仅当 vsftpd .conf 配置文件里启用 userlist_enable=NO 选项时才允许访问。
 
  vsftpd.conf:位于 /etc/vsftpd 目录下。来自定义用户登录控制、用户权限控制、超时设置、服务器功能选项、服务器性能选项、服务器响应消息等FTP服务器的配置。
 
  (1)用户登录控制
  anonymous_enable=YES,允许匿名用户登录。
  no_anon_password=YES,匿名用户登录时不需要输入密码。
  local_enable=YES,允许本地用户登录。
  deny_email_enable=YES,可以创建一个文件保存某些匿名电子邮件的黑名单,以防止这些人使用DDos攻击。
banned_email_file=/etc/vsftpd/banned_emails,当启用deny_email_enable功能时,所需的电子邮件黑名单保存路径(默认为/etc/vsftpd/banned_emails)。
 
  (2)用户权限控制
  write_enable=YES,开启全局上传权限。
  local_umask=022,本地用户的上传文件的umask设为022(系统默认是077,一般都可以改为022)。
  anon_upload_enable=YES,允许匿名用户具有上传权限,很明显,必须启用write_enable=YES,才可以使用此项。同时我们还必须建立一个允许 ftp 用户可以读写的目录(前面说过,ftp是匿名用户的映射用户账号)。   #cat  /etc/password       [回车],  #cat  /etc/shadow        [回车]可看。

 
  anon_mkdir_write_enable=YES,允许匿名用户有创建目录的权利。
  chown_uploads=YES,启用此项,匿名上传文件的属主用户将改为别的用户账户,注意,这里建议不要指定root账号为匿名上传文件的属主用户!
  chown_username=whoever,当启用chown_uploads=YES时,所指定的属主用户账号,此处的whoever要用合适的用户账号来代替,例如 godsonx。
 
  chroot_list_enable=YES,可以用一个列表限定哪些本地用户只能在自己目录下活动,如果chroot_local_user=YES,那么这个列表里指定的用户是不受限制的。
 
chroot_list_file=/etc/vsftpd/chroot_list,如果chroot_local_user=YES,则指定该列表(chroot_local_user)的保存路径(默认是/etc/vsftpd/chroot_list)。
 
  nopriv_user=ftpsecure,指定一个安全用户账号,让FTP服务器用作完全隔离和没有特权的独立用户。这是vsftpd系统推荐选项。
  async_abor_enable=YES,强烈建议不要启用该选项,否则将可能导致出错!
  ascii_upload_enable=YES;ascii_download_enable=YES,默认情况下服务器会假装接受ASCⅡ模式请求但实际上是忽略这样的请求,启用上述的两个选项可以让服务器真正实现ASCⅡ模式的传输。
 
  注意:启用ascii_download_enable选项会让恶意远程用户们在ASCⅡ模式下用“SIZE/big/file”这样的指令大量消耗FTP服务器的I/O资源。
 
  这些ASCⅡ模式的设置选项分成上传和下载两个,这样我们就可以允许ASCⅡ模式的上传(可以防止上传脚本等恶意文件而导致崩溃),而不会遭受拒绝服务攻击的危险。
  (3)用户连接和超时选项
  idle_session_timeout=600,可以设定默认的空闲超时时间,用户超过这段时间不动作将被服务器踢出。
  data_connection_timeout=120,设定默认的数据连接超时时间。
  (4)服务器日志和欢迎信息
  dirmessage_enable=YES,允许为目录配置显示信息,显示每个目录下面的message_file文件的内容。
  ftpd_banner="Welcome to Godsonx FTP service",可以自定义FTP用户登录到服务器所看到的欢迎信息。
  xferlog_enable=YES,启用记录上传/下载活动日志功能。
  xferlog_file=/var/log/vsftpd.log,可以自定义日志文件的保存路径和文件名,默认是/var/log/vsftpd.log。
  anonymous_enable=YES 允许匿名登录local_enable=YES 允许本地用户登录
  write_enable=YES 开放本地用户写权限
  local_umask=022 设置本地用户生成文件的掩码为022
  #anon_upload_enable=YES 此项设置允许匿名用户上传文件
  #anon_mkdir_write_enable=YES 开启匿名用户的写和创建目录的权限
  dirmessage_enable=YES 进入用户目录建立一个.message文件,输入欢迎信息即可
  xferlog_enable=YES 激活上传和下载日志
  connect_from_port_20=YES 启用FTP数据端口的连接请求
  #chown_uploads=YES 是否具有上传权限. 用户由chown_username参数指定。
  #chown_username=whoever 指定拥有上传文件权限的用户。此参数与chown_uploads联用。
  #xferlog_file=/var/log/vsftpd.log
  xferlog_std_format=YES 使用标准的ftpd xferlog日志格式
  #idle_session_timeout=600 此设置将在用户会话空闲10分钟后被中断
  #data_connection_timeout=120 将在数据连接空闲2分钟后被中断
  #ascii_upload_enable=YES 启用上传的ASCII传输方式
  #ascii_download_enable=YES 启用下载的ASCII传输方式
  #ftpd_banner=Welcome to blah FTP service 设置用户连接服务器后显示消息
  #deny_email_enable=NO 此参数默认值为NO。当值为YES时,拒绝使用banned_email_file参数指定文件中所列出的e-mail地址用户登录。
 
  #banned_email_file=/etc/vsftpd/banned_emails 指定包含拒绝的e-mail地址的文件.
  #chroot_list_enable=YES 设置本地用户登录后不能切换到自家目录以外的别的目录
  #chroot_list_file=/etc/vsftpd/chroot_list
  #ls_recurse_enable=YES
  pam_service_name=vsftpd 设置PAM认证服务的配置文件名称,该文件存放在/etc/pam.d/vsftpd 
  userlist_enable=YES 此项配置/etc/vsftpd/user_list中指定的用户也不能访问服务器,若添加userlist_deny=No,则仅仅/etc/vsftpd/user_list文件中的用户可以访问,其他用户都不可以访问服务器。如过userlist_enable=NO,userlist_deny=YES,则指定使文件/etc/vsftpd/user_list中指定的用户不可以访问服务器,其他本地用户可以访问服务器。
   listen=YES 指明VSFTPD以独立运行方式启动, 既开始 ipv4 的服务监听。 
  tcp_wrappers=YES 在VSFTPD中使用TCP_Wrappers远程访问控制机制,默认值为YES
 



三、举例建立一个名为test的账户并进行配置
根据实际情况对FTP进行配置后,下面举例介绍建立一个FTP账户并进行简单的配置:
 

1、创建一个账号为ftpuser的账户:

#/usr/sbin/adduser -d /opt/ftp -g ftp -s /sbin/nologin ftpuser

这个命令的意思是:
使用命令  adduser  添加 ftpuser 用户,不能登录系统  -s /sbin/nologin , 自己的文件夹在  (  -d /opt/ftp    ),  属于组 ftp   ( -g ftp  )

#passwd ftpuser
Changing password for user ftpuser  .//接下来会出现让你设置新的密码
New password:
Retype new password:
passwd: all authentication tokens updated successfully
创建账户成功! 

#chmod  777   /opt/ftp

2、限制用户目录,不得改变目录到上级
修改/etc/vsftpd/vsftpd.conf
将这两行
#chroot_list_enable=YES
#chroot_list_file=/etc/vsftpd.chroot_list
注释去掉

结果:
chroot_list_enable=YES
chroot_list_file=/etc/vsftpd/chroot_list

vi 按 :w ,  :q , 写入后退出。 


新增一个文件: /etc/vsftpd/chroot_list
内容写需要限制的用户名:
ftpuser

vi 按 :w ,  :q , 写入后退出。 


重新启动vsftpd
#service vsftpd restart
或者
重启ftp进程   #systemctl restart vsftpd.service
 
3、最后为了防止服务器由于断电、重启等现象发生,导致ftp进程在开机后未启动,将其添加到开机启动文件中:

   #systemctl  enable  vsftpd.service   ,  注意 vsftpd 3.0 以后才可以。 

或者
(1)找到/etc/rc.local文件
(2)打开该文件,在最后一行添加:service vsftpd start
(3)保存,退出
 

4、通过在“我的电脑”中输入ftp://172.16.50.116  (填该ftp服务器 ip 地址) 进入ftp服务器,输入OS设置好的用户账户登陆即可。
 
 

注意:VSFTP无法上传文件的解决方法:
猪头方法1、直接关闭selinux,命令:/usr/sbin/setenforce 0;
 
推荐方法2、在selinux开启的情况下
 
运行命令(查看ftpd开启的服务):getsebool -a | grep ftp
 
例子是无法上传文件的情况:allow_ftp_anon_write–>off

使用命令:
setsebool -P allow_ftpd_anon_write 1

或者


或者
semanage boolean -m --on allow_ftpd_anon_write




ref:
http://selinuxproject.org/page/FTPRecipes


other bool values:
allow_ftpd_full_access

ftp_home_dir

setsebool -P ftpd_connect_db 1
If you want to allow ftp servers to login to local users and read/write all files on the 

system, governed by DAC, you must also turn on the allow_ftpd_full_access boolean.

setsebool -P allow_ftpd_full_access 1
If you want to allow ftp servers to use cifs used for public file transfer services, you 

must turn on the allow_ftpd_use_cifs boolean.



Owner, Group, Others ( r = 4 ) ( w = 2) (x = 1) 

-rw-r--r-- => (4+2+0)(0+4+0)(0+4+) = 0644 

0 - No Permissions; 1 - Execute Only; 2 - Write Only;  4 - Read Only

=====================================================================================
To allow anonymous users to upload files, it is recommended that a write-only directory be created within /var/ftp/pub/.

To do this, type the following command:

mkdir /var/ftp/pub/upload
Next, change the permissions so that anonymous users cannot view the contents of the directory:

chmod 730 /var/ftp/pub/upload
A long format listing of the directory should look like this:

drwx-wx---    2 root     ftp          4096 Feb 13 20:05 upload

Warning:
Administrators who allow anonymous users to read and write in directories often find that their servers become a repository of stolen software.
Additionally, under vsftpd, add the following line to the /etc/vsftpd/vsftpd.conf file:

anon_upload_enable=YES


https://access.redhat.com/documentation/en-US/Red_Hat_Enterprise_Linux/3/html/Security_Guide/s1-server-ftp.html

=========================================================================================
http://useful-linuxcommands.blogspot.ca/2013/10/chmod.html

Change the permissions using chmod

Change the access permissions of files and folders 

Syntax:

chmod [switches] [permissions] <file name/folder name>

Description: 

Access permissions can be changed with switches -r, -w, -x and also by numeric.

-rwxrw-r-- 4 root n500 5024 2015-11-17 filename

Here -rwxrw-r-- explains the access permission of file

It has 10 characters in it. 

First,    -/d  : For files it will display dash and for folders it will display d
Next 3, rwx  : Permission of owner ( r - read, w - write, x - execute )
Next 3, rw-  : Permission of group. 
Next 3, r--   : Others.  

Numeric access permission are 4, 3 and 1 for read, write and execute. 

Lets see how to change the permissions as mentioned below:

Examples:

Let us see how to give permissions to folder named label

1

chmod 700 label / chmod u+rwx label

All permission 7 ( 4 + 3 + 1 ) is given only to owner.

2

chmod 730 label / chmod ug+r,u+wx label

Group is also given read permission.

3

chmod 733 label / chmod ugo+r,u+wx label

Read permission is given for others also.

4

chmod 763 label / chmod ugo+r,ug+w,u+x label

Write permission is given for group.

5

chmod 773 label / chmod ug+rwx,o+r label

All permissions are given for owner and group but others has only read permission

6

chmod 776 label / chmod ug+rwx,o+rw label

All permissions given to owner and group but others are not given execute permission. 

7

chmod 777 label / chmod ugo+rwx label

All permissions given to owner, group and others.

8

chmod -R 777 label chmod -R ugo+rwx label

Apart from all permissions to owner, group and others for the folder label, contents inside folder label are also given with same permissions.

Similarly permissions can be given to files also.

9

chmod 777 fileame chmod ugo+rwx filename

All permissions assigned to file

10

chmod 777 /master/label  / chmod ugo+rwx /master/label

Permissions are given to folder named label present inside the master home directory.



作者  | 2016-4-29 15:27:49 | 阅读(0) |评论(2) | 阅读全文>>

500 OOPS: cannot change directory: /home/yourname, vsftpd error 500

2016-4-29 8:06:27 阅读1 评论0 292016/04 Apr29


That error is generated because of Selinux. Please do the following


# getenforce
# getsebool -a | grep ftp allow_ftpd_anon_write –> off allow_ftpd_full_access –> off allow_ftpd_use_cifs –> off allow_ftpd_use_nfs –> off allow_tftp_anon_write –> off ftp_home_dir –> on (change that to on in ur case this option is off) ftpd_disable_trans –> off ftpd_is_daemon –> on httpd_enable_ftp_server –> off tftpd_disable_trans –> off
#setsebool -P ftp_home_dir=1

/ --------------------------------------------------------


setsebool -P allow_ftpd_anon_write=1
setsebool -P allow_ftpd_full_access=1

setsebool -P ftp_home_dir=1

optional:
semanage boolean -m --on allow_ftpd_anon_write
//-------------------------------------------------------------

1)安装完vsftp后,默认的是匿名可以下载但不可以上传。root不可以登录。此时设置

setenfore 0或者1都没有影响。
2)为了让root登录。第一步是设置/etc/vsftpd/ftpusers /etc/vsftpd/user_list 里的root前加

#。
                        第二步是 /etc/init.d/vsftpd restart.
                        第三步是设置selinux  由于默认 getsebool -a | grep ftp 
                                                            allow_ftpd_full_access-->off
                                                 所以可以 setsebool allow_ftpd_full_access=1.
                                                或者 setenforce 0 使selinux降低安全级别。
                           这时root可以上载和下传资料,但匿名仍然不行。
3)让匿名也可以上传 则第一步设置/etc/vsftpd/vsftpd.conf 把里面的anon_upload_enable

什么都设置为可以。
                        第二步是 /etc/init.d/vsftpd restart.
                       第三步是  chmod 777 /var/ftp/pub 或者 chown ftp:ftp /var/ftp/pub
                        第四步是设置selinux  由于默认 getsebool -a | grep ftp 
                                                            allow_ftpd_full_access-->off
                                                            allow_ftpd_anon_write-->off
                                                 所以可以 setsebool allow_ftpd_full_access=1
                                                            setsebool allow_ftpd_anon_write=1              .
                                                或者 setenforce 0 使selinux降低安全级别。
                           这时匿名可以上传和下载了。

作者  | 2016-4-29 8:06:27 | 阅读(1) |评论(0) | 阅读全文>>

Free FTP client and server

2016-4-29 4:45:50 阅读1 评论0 292016/04 Apr29

https://filezilla-project.org/

作者  | 2016-4-29 4:45:50 | 阅读(1) |评论(0) | 阅读全文>>

How to simulate white noise in LTspice ?

2016-3-8 5:27:57 阅读37 评论0 82016/03 Mar8


BV 

with white(x) :

i.e.

white(2e6*time)/10


Version 4
SHEET 1 880 680
WIRE 144 112 48 112
WIRE 288 112 288 96
WIRE 288 112 224 112
WIRE 288 144 288 112
WIRE 48 160 48 112
WIRE 48 256 48 240
WIRE 288 256 288 224
FLAG 288 256 0
FLAG 48 256 0
FLAG 288 96 tp0
SYMBOL bv 48 144 R0
WINDOW 3 -251 9 Left 2
SYMATTR InstName B1
SYMATTR Value V=white(2e6*time)/10
SYMBOL res 240 96 R90
WINDOW 0 0 56 VBottom 2
WINDOW 3 32 56 VTop 2
SYMATTR InstName R1
SYMATTR Value 50
SYMBOL res 272 128 R0
SYMATTR InstName R2
SYMATTR Value 50
TEXT 14 280 Left 2 !.tran 0 0.1 0 1e-9




ref:
http://ltwiki.org/?title=Undocumented_LTspice
http://www.spectrum-soft.com/news/summer98/wpnoise.shtm
http://electronics.stackexchange.com/questions/55233/how-do-you-simulate-voltage-noise-with-ltspice
http://www.linear.com/solutions/1148
http://www.mikrocontroller.net/topic/105552
http://www.eevblog.com/forum/beginners/how-do-we-simulate-a-real-voltage-(non-ideal)-source-with-ltspice/

作者  | 2016-3-8 5:27:57 | 阅读(37) |评论(0) | 阅读全文>>

计算机意外地重新启动或遇到错误。windows安装无法继续。若要安装windows 请单击 确定 重新启动计算机

方法/步骤
1
当出现如上提示的时候,按下shift+f10 会打开命令窗口,进入到C:\windows\system32\oobe文件夹,输入msoobe回车然后输入msoobe即可进入下一步操作,但错误提示框仍然在,不用理会按照屏幕提示输入相应的信息直至完成系统的安装.安装好后WIN7系统无任何问题.
2
不会DOS命令请见下述:
按下shift+f10 会打开命令窗口,输入  CD\  并按下回车键后将返回到根目录,此时屏幕上显示的是 C:\> ;
接下来输入  windows\system32\oobe\msoobe.exe
3
不会的朋友可实操一下:点击WIN 7 系统左下角--开始--运行--输入 CMD  会跳出命令窗口,然后输入 CD\  并按下回车键后将返回到根目录,
接下来输入 windows\system32\oobe\msoobe.exe   实操完后窗口关不掉可同时按下CTRL+ALT+DELETE调出任务栏,结束任务即可关闭窗口。直接下一步下一步安装也不要紧,对系统唯一的影响是多建立了一个用户,还有就是输入法被还原成出厂设置了。
4
安装完成后若在进入桌面过程当中发生蓝屏,可重启按F8登陆进安全模式,成功登陆安全模式后再重启进入系统

作者  | 2016-3-6 7:22:18 | 阅读(24) |评论(0) | 阅读全文>>

積層陶瓷電容(MLCC) ZT

2016-2-29 17:42:01 阅读51 评论0 292016/02 Feb29

NPO与X7R、X5R、Y5V、Z5U神马的有啥区别?
主要是介质材料不同。不同介质种类由于它的主要极化类型不一样,其对电场变化的响应速度和极化率亦不一样。 在相同的体积下的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。介质材料划按容量的温度稳定性可以分为两类,即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器, NPO属于Ⅰ类陶瓷,而其他的X7R、X5R、Y5V、Z5U等都属于Ⅱ类陶瓷。

積層陶瓷電容(MLCC) ZT - godsonx - NDEB Exam Busters

 

什么是Ⅰ类陶瓷,有什么特点?
Ⅰ类陶瓷电容器(ClassⅠceramic capacitor),过去称高频陶瓷电容器(High-frequency ceramic capacitor),介质采用非铁电(顺电)配方,以TiO2为主要成分(介电常数小于150),因此具有最稳定的性能;或者通过添加少量其他(铁电体)氧化物,如CaTiO3 或SrTiO3,构成“扩展型”温度补偿陶瓷,则可表现出近似线性的温度系数,介电常数增加至500。这两种介质损耗小、绝缘电阻高、温度特性好。特别适用于振荡器、谐振回路、高频电路中的耦合电容,以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿。

 

Ⅰ类陶瓷的温度特性怎么表示
Ⅰ类陶瓷的温度容量特性(TCC)非常小,单位往往在ppm/℃,容量较基准值的变化往往远小于1皮法。美国电子工业协会(EIA)标准采用“字母+数字+字母” 这种代码形式来表示Ⅰ类陶瓷温度系数。比如常见的C0G。

 

C0G代表的温度系数究竟是多少?
C 表示电容温度系数的有效数字为 0 ppm/℃
0   表示有效数字的倍乘因数为  -1(即10的0次方)
G 表示随温度变化的容差为   ±30ppm
積層陶瓷電容(MLCC) ZT - godsonx - NDEB Exam Busters
计算下来,C0G电容最终的TCC为:0×(-1)ppm/℃±30ppm/℃。而相应的其他Ⅰ类陶瓷的温度系数,例如U2J电容,计算下来则为:-750 ppm/℃±120 ppm/℃。 

積層陶瓷電容(MLCC) ZT - godsonx - NDEB Exam Busters

 

NPO和C0G是同一种电容吗?
NPO是美国军用标准(MIL)中的说法,其实应该是NP0(零),但一般大家习惯写成NPO(欧)。这是Negative-Positive-Zero的简写,用来表示的温度特性。说明NPO的电容温度特性很好,不随正负温度变化而出现容值漂移。
从前面我们已经知道,C0G是I类陶瓷中温度稳定性最好的一种,温度特性近似为0,满足“负-正-零”的含义。所以C0G其实和NPO是一样的,只不过是两个标准的两种表示方法(当然,容值更小、精度略差一点的C0K、C0J等也是NPO电容)。类似的,U2J对应于MIL标准中的组别代码为N750。

NPO 电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
積層陶瓷電容(MLCC) ZT - godsonx - NDEB Exam Busters

 

什么是Ⅱ类陶瓷,有什么特点?
Ⅱ类陶瓷电容器(Class Ⅱ  ceramic capacitor)过去称为为低频陶瓷电容器(Low frequency ceramic capacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容器,因此也称铁电陶瓷电容器。这类电容器的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。其中Ⅱ类陶瓷电容器又分为稳定级和可用级。X5R、X7R属于Ⅱ类陶瓷的稳定级,而Y5V和Z5U属于可用级。

 

X5R、X7R、Y5V、Z5U之间的区别是什么?
区别主要还在于温度范围和容值随温度的变化特性上。下表提示了这些代号的含义。
積層陶瓷電容(MLCC) ZT - godsonx - NDEB Exam Busters
以X7R为例。
X  代表电容最低可工作在  -55℃
7  代表电容最高可工作在  +125℃
R  代表容值随温度的变化为 ±15%
同样的,Y5V正常工作温度范围在-30℃~+85℃, 对应的电容容量变化为+22~-82%;而Z5U 正常工作温度范围在+10℃~+85℃,对应的电容容量变化为+22~-56%。

積層陶瓷電容(MLCC) ZT - godsonx - NDEB Exam Busters








積層陶瓷電容(MLCC)

積層陶瓷電容器(Multi-layer Ceramic Capacitor,MLCC)是陶瓷電容器的一種,陶瓷電容分成單層陶瓷電容與積層陶瓷電容 (MLCC),其電容值含量與產品表面積大小、陶瓷薄膜堆疊層數成正比,由於陶瓷薄膜堆疊技術的進步,電容值含量也越高,漸可取代中低電容電解電容和鉭質電容的市場應用,且MLCC可以透過SMT直接黏著,生產速度比電解電容和鉭質電容更快,加上3C電子商品走向輕薄短小特性,MLCC易於晶片化、體積小的優勢,成為電容器產業的主流產品,約占電容產值比重43%,其次為鋁質電解電容,約32%。

MLCC因為物理特性有耐高電壓和高熱、運作溫度範圍廣,且能夠晶片化使體積小,且電容量大、頻率特性佳、高頻使用時損失率低、適合大量生產、價格低廉及穩定性高等優點,缺點為電容值較小,遠不及鋁質電解電容,但因陶瓷薄膜堆疊技術越來越進步,電容值含量也越高,電氣特性也不斷改進,應用上已可以取代低電容值的鋁質電容,和價格偏高且有汙染問題的鉭質電容

  電容值 應用市場
MLCC 10~100uF NB、手機、GPS、消費性電子
鉭質電容 47~400uF NB、手機、工業用電子、車用電子
鋁質電容 400uF以上 LCD TV、電腦、影音產品

MLCC是由平行的陶瓷材料和電極材料層疊而成,其內部結構為:陶瓷層及內部金屬電極層交錯堆疊而成,即每一陶瓷層都被上下兩個平行電極夾住,形成一個平板電容,再藉由內部電極與外部電極相連結,把每一個電容並聯起來,如此可提高電容器的總儲存電量。積層陶瓷電容器的總電容量為各電容量之和,電容並聯之目的在於增加電容量或儲存電荷

MLCC 之材料結構來看,主要分為介電瓷粉與內外電極兩方面。介電陶瓷粉末主要原料是鈦酸鋇,外加各種添加材料後形成NPO、COG、Y5V、X7R、Z5U 等種類,依電氣特性應用也各不相同,介電瓷粉決定MLCC的特性。X7R、X5R 與Y5V屬於高容值,由等級來看,X5R與X7R優於Y5V,而NPO主要應於通訊產品;若以價格來看,同一尺寸與同一電容值的MLCC,X7R≒X5R>Y5V>Y5U。介電瓷粉全球供應商不多,屬寡佔市場,以美商Ferro獨佔全球晶片電容器用之介電瓷粉市場,國內信昌電為國內唯一上游電子材料供應商,主要供應集團母公司華新科及大陸廠商。

MLCC另一項約占生產成本 35%以上成本的是電極金屬,過去台灣廠商所採用的電極材料,外電極採用的是,內電極採用鈀金屬,因為受到主動元件CPU及通訊用元件其速度不斷加快的趨勢,使MLCC的疊層數也必須提高,MLCC每增加一層疊層就必須塗上一層內電極,疊層數鈀金屬使用量也遽增,而由於鈀金屬為稀有貴金屬,價格相當昂貴,主要供應來自俄羅斯,在產量稀少的前提下,價格波動十分劇烈,甚至供應不及與缺貨,因此業者以卑金屬()等金屬取代現行的鈀金屬電極材料,希望藉由BME(卑金屬)製程降低近三成的成本。

MLCC具有各種不同規格,而各產品間的差異主要在於電容值(單位電壓下貯存電量)、尺寸(1210以上、0805、0603、0402、0201等規格)、溫度穩定性(Y5V、X7R及NPO等)、操作電壓上限、安規認證、ESR(電容/充放電所需時間)及Q值(對輸入能量的耗損程度)等特性。以溫度穩定性為例,由於主要原物料介電瓷粉的差異,使得MLCC會產生不同的溫度穩定性,其中以Y5V型MLCC單位容值成本最低,X7R次之,NPO則最高,其中由於Y5V型因生產技術難度較低,價格便宜且競爭者多,故以台灣及中國大陸業者為主要供應商,隨著可攜式電子產品所需之溫度穩定性較高,因此X7R及X5R之MLCC將逐漸取代Y5V型。

MLCC依產品尺寸大小可區分為0201、0402、0603、0805及大於1206等規格,0805型、0603型主要用於主機板筆記型電腦等資訊產品,0402與0201主要應用在高階手機上,隨著電子產品走向輕薄短小,帶動0402及0201規格之產品應用比重持續提升,成長動能來自iPod/iPhone、遊戲機液晶電視消費性電子產品需求。

MLCC全球主要供應商包括:日系Murata Mfg (市佔25%)、TDK(佔14%)、Taiyo Yuden(佔8%)、Kyocera、Panasonic,及國內國巨(市佔13%)、華新科(佔11%)、禾伸堂天揚蜜望實達方,與大陸風華高科。日系廠商皆以高容MLCC為主,國內國巨華新科生產大宗規格之中低容產品為主,禾伸堂則以利基型高壓、高容MLCC為主

電容參數:X5RX7RY5VCOG 詳解

在我們選擇無極性電容式,不知道大家是否有注意到電容的X5RX7RY5VCOG等等看上去很奇怪的參數,有些摸不著頭腦,現在翻譯出來給大家參考。

積層陶瓷電容(MLCC) ZT - godsonx - NDEB Exam Busters

這類參數描述了電容採用的電介質材料類別,溫度特性以及誤差等參數,不同的值也對應著一定的電容容量的範圍。具體來說,就是:

X7R常用於容量為3300pF~0.33uF的電容,這類電容適用於濾波,耦合等場合,電介質常數比較大,當溫度從0°C變化為70°C時,電容容量的變化為±15%

Y5PY5V常用於容量為150pF~2nF的電容,溫度範圍比較寬,隨著溫度變化,電容容量變化範圍為±10%或者+22%/-82%

對於其他的編碼與溫度特性的關係,大家可以參考表4-1。例如,X5R的意思就是該電容的正常工作溫度為-55°C~+ 85°C,對應的電容容量變化為±15%

4-1 電容的溫度與容量誤差編碼

積層陶瓷電容(MLCC) ZT - godsonx - NDEB Exam Busters

     下面我們僅就常用的NPOX7RZ5UY5V來介紹一下它們的性能和應用 以及採購中應注意的訂貨事項以引起大家的注意。不同的公司對於上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法,這裏我們引用的是AVX公司的命名方法,其他公 司的產品請參照該公司的產品手冊。 NPOX7RZ5UY5V的主要區別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由於填充介質不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩定性等也就不同。所以在使用電容器時應根據電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。

NPO電容器

NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其他稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質損耗最穩定的電容器之一。在溫度從-55+ 125時容量變化為0±30ppm/,電容量隨頻率的變化小於±0.3ΔCNPO電容的漂移或滯後小於±0.05%

 

相對大於±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小於±0.1%NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量範圍。

NPO電容器適合用於振盪器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。

X7R電容器

X7R電容器被稱為溫度穩定型的陶瓷電容器。當溫度在-55+ 125時其容量變化為15%,需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。

X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時間的變化而變化,大約每10年變化1%ΔC,表現為10年變化了約5%

X7R電容器主要應用于要求不高的工業應用,而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量範圍。

Z5U電容器

Z5U電容器稱為通用陶瓷單片電容器。這裏首先需要考慮的是使用溫度範圍,對於Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對於上述三種陶瓷 單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環境和工作條件影響較大,它的老化率最大可達每10年下降5%

儘管它的容量不穩定,由於它具有小體積、等效串聯電感(ESL)和等效串聯電阻(ESR)低、良好的頻率回應,使其具有廣泛的應用範圍。尤其是在退耦電路的應用中。下表給出了Z5U電容器的取值範圍。

Z5U電容器的其他技術指標如下:工作溫度範圍 + 10 --- + 85 溫度特性 +22% ---- -56% 介質損耗 最大 4%

Y5V電容器

Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器,在-3085範圍內其容量變化可達+22%-82%

Y5V的高介電常數允許在較小的物理尺寸下製造出高達4.7μF電容器。

Y5V電容器的取值範圍如下表所示

Y5V電容器的其他技術指標如下:工作溫度範圍 -30 --- + 85 溫度特性 +22% ---- -82% 介質損耗 最大 5%

貼片電容器命名方法可到AVX網站上找到。

NPO,X7RY5V電容的特性及主要用途

NPO的特性及主要用途
1類陶瓷介質,電氣性能穩定,基本上不隨時間、溫度、電壓變化,適用于高可靠、高穩定的高額、特高頻場合。
特性:
電容範圍 1pF0.1uF (1±0.2V rms 1MHz)
環境溫度: -55+ 125 組別:CG
溫度特性: 0±30ppm/
損耗角正切值: 15x10-4
絕緣電阻: ≥10GΩ
抗電強度: 2.5倍額定電壓 5 浪湧電流:≤50毫安培


X7R的特性及主要用途
2類陶瓷介質,電氣性能較穩定,隨時間、溫度、電壓的變化,其特性變化不明顯,適用於要求較高的耦合、旁路、源波電路以及10兆周以下的頻率場合。
特性:
電容範圍 300pF3.3uF (1.0±0.2V rms 1KHz)
環境溫度: -55+ 125 組別:2X1
溫度特性: ±15%
損耗角正切值: 100Volts: 2.5% max
50Volts: 2.5% max
25Volts: 3.0% max
16Volts: 3.5% max
10Volts: 5.0% max
絕緣電阻: ≥4GΩ ≥100S/C (單位:MΩ)
抗電強度: 2.5倍額定電壓 5 浪湧電流:≤50毫安培


Y5V的特性及主要用途
2類陶瓷介質,具有很高的介電係數,能較容易做到小體積,大容量,其容量隨溫度變化比較明顯,但成本較低。廣泛應用於對容量,損耗要求不高的場合。
特性:
電容範圍 1000pF22uF (0.3V 1KHz)
環境溫度: -30+ 85
溫度特性: ±22%-82%
損耗角正切值: 50Volts: 3.5%
25Volts: 5.0%
16Volts: 7.0%
絕緣電阻: ≥4GΩ ≥100S/C (單位:MΩ)
抗電強度: 2.5倍額定電壓 5 浪湧電流:≤50毫安培

 

日本:Murata

http://www.murata.com/products/catalog/pdf/c02e.pdf

日本:TDK

http://www.tdk.com/pdf/general_B11.pdf

 
AVX:
 
 
國巨:

作者  | 2016-2-29 17:42:01 | 阅读(51) |评论(0) | 阅读全文>>

eBook focused download sites

2016-2-21 16:38:11 阅读33 评论0 212016/02 Feb21

several eBook focused download sites.

They are: 

Ebookee, 

LibGen, 

Freshwap, 

AvaxHome, 

Bookfi, 

Bookre,

Freebookspot.

According to the PA its investigations found that over 80% of the material made available by the sites infringes copyright. In total the sites are said to offer in excess of 10 million titles.

作者  | 2016-2-21 16:38:11 | 阅读(33) |评论(0) | 阅读全文>>


Go to Tools, Select Options, Then Select Mail Format tab, then un-select "use Microsoft Word....."


作者  | 2015-11-6 3:09:38 | 阅读(37) |评论(0) | 阅读全文>>

How to force update DELL laptop BIOS?

2015-10-4 4:32:24 阅读60 评论0 42015/10 Oct4


very simple:

TRY this switch

“ /forceit", 

allowed the BIOS update to proceed regardless of your battery level



==========================================
BTW:

Press "F2" when the first screen appears. Timing is difficult, so you may wish to continually press "F2" until you see the message "Entering Setup." Pressing the key several times has no detrimental effects. In older Dell models, you might need to press either "Delete," "Ctrl" + "Alt" + "Enter," "Fn" + "F1," or "Fn" + "Esc." When in doubt, you can press several different combinations without any DAMAGE.

作者  | 2015-10-4 4:32:24 | 阅读(60) |评论(0) | 阅读全文>>

msvcr71.dll missing

2015-8-24 9:25:21 阅读118 评论0 242015/08 Aug24

msvcr71.dll missing

First thing you should do is:

sfc /scannow


Then visit the microsoft site for download

http://www.microsoft.com/en-us/download/details.aspx?id=26
https://www.microsoft.com/en-us/download/details.aspx?displaylang=en&id=5638

https://www.microsoft.com/en-us/download/details.aspx?displaylang=en&id=5582

作者  | 2015-8-24 9:25:21 | 阅读(118) |评论(0) | 阅读全文>>


Time for you to switch to LTspice,  no kiding




How Do I Solve Simulation Errors in Multisim?

http://digital.ni.com/public.nsf/allkb/A65253BD02F585CD86257A6B0049945D

Primary Software: Electronics Workbench>>Multisim
Primary Software Version: 12.0
Primary Software Fixed Version: N/A
Secondary Software: N/A


Problem: When I run my simulation, I get a pop-up window with the following message:

"A simulation error has occurred. Would you like to run the Convergence Assistant to attempt to resolve this problem automatically"

How do I solve this?

Solution: Simulation errors can arise for different reasons. To resolve these issues first let the Convergence Assistant attempt to solve the problem. If after finishing, it is not able to fix it, try to look for the following causes:
Floating components (i.e. parts with unconnected pins); which can go into the SPICE matrix even if they are not being used and cause difficulties
Extremely tiny resistor values; which enter the SPICE matrix as 1/resistance creating large calculations
Direct voltage source across P-N junctions; usually happens with LEDs and indicator components
Parallel voltage sources and inductors
If you are still getting convergence issues, your next step is to adjust tolerances. You can change the tolerances by doing the following:

Select Simulate?Interactive simulation settings
Select the Analysis options tab
Click Customize ...
Under the Global tab you can adjust the tolerances, using the following guidelines:
Increase RELTOL to no greater than 0.01
Increase VNTOL to no greater than 1e-3
Increase ABSTOL to no greater than 1e-6
Under the Transient tab, change the Integration method [METHOD] to Gear


Related Links: Developer Zone Tutorial: NI Multisim: Advanced Interactive Simulation & SPICE Analysis




Error: Time Step Too Small in Multisim

http://digital.ni.com/public.nsf/allkb/4B99B2CD6C0C3B6A86257205005D58E0?OpenDocument

Primary Software: 
Primary Software Version: 9.x
Primary Software Fixed Version: N/A
Secondary Software: N/A


Problem: 
I receive the following error: Time Step Too Small Error.  

How do I fix this error?

Solution: 
The Time Step Too Small Error in Multisim is a very generic error that can represent a number of different simulation issues.

In smaller circuits this error is generally due to a mistake in wiring or connecting components, so this must be checked first. 

If the wiring has been validated in the circuit follow these steps:
Select Simulation ? Interactive Simulation Settings
Under Initial conditions select Set to zero
Click the OK button
Check to see if the simulation now works. If not:
Select Simulation ? Interactive Simulation Settings
Check Set maximum time step (TMAX)
Select Maximum Time Step (TMAX) and change it from 1e-005 to 1e-003
Click the OK button
Check to see if the simulation now works. If not:
Select Simulation ? Interactive Simulation Settings
Select the Analysis Options tab
Select the Use Custom Setting radio button and click on the Customize button
Select the Global tab
Check the Relative Error Tolerance [RELTOL] to ON and set it to 0.01
Set Shunt resistance from analog nodes to ground [RSHUNT] to 1e+9
Select the Transient tab
Check Integration Method [METHOD] to ON and set it to Gear
Click the OK button
Click the OK button
In Multisim 10 and higher the Convergence Assistant conveniently tries to fix this error for you.


作者  | 2015-8-4 15:06:38 | 阅读(203) |评论(0) | 阅读全文>>

Epulis fissuratum

2015-8-2 6:24:01 阅读101 评论0 22015/08 Aug2

Epulis fissuratum



缝眼瘤(Epulis fissuratum)典型地发生于上下领托牙翼的边缘区


作者  | 2015-8-2 6:24:01 | 阅读(101) |评论(0) | 阅读全文>>

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